第3章 存儲器及其接口

　　半導體存儲器分類：

　　1. 隨機存取存儲器，RAM

　　(1) 靜態RAM，SRAM (HM6116，2K * 8)

　　(2) 動態RAM，DRAM，需要刷新電路 (2164，64K * 1)

　　2. 只讀存儲器，ROM

　　(1) PROM，可編程ROM，一次性寫入ROM

　　(2) EPROM，可擦除可編程ROM (INTEL2732A，4K * 8)

　　(3) EEPROM，電可擦除可編程ROM

　　半導體存儲器的性能指標：

　　1. 存儲容量

　　2. 存取速度 (用兩個時間參數表示：存取時間，存取周期)

　　3. 可靠性

　　4. 性能/價格比

　　內存條及其特點：

　　內存條是一個以小型板卡形式出現的存儲器產品，它的特點是：安裝容易，便于用戶進行更換，也便于擴充內存容量

　　HM6116、2164、INTEL2732A的外特性 (教科書 P50 ~ P53)

　　INTEL2732A的6種工作方式：

　　1. 讀

　　2. 輸出禁止

　　3. 待用

　　4. 編程

　　5. 編程禁止

　　6. INTEL標識符

　　實現片選控制的三種方法：

　　1. 全譯碼

　　2. 部分譯碼 (可能會產生地址重疊)

　　3. 線選法

　　地址重疊——多個地址指向同一存儲單元

　　存儲器芯片同CPU連接時應注意的問題：

　　1. CPU總線的負載能力問題

　　2. CPU的時序同存儲器芯片的存取速度的配合問題

　　16位微機系統中，內存儲器芯片的奇偶分體：

　　1. 1M字節分成兩個512K字節 (偶存儲體，奇存儲體)

　　2. 偶存儲體同低8位數據總線(D7 ~ D0)相連接，奇存儲體同高8位數據總線(D15 ~ D8)相連接

　　3. CPU的地址總線A19 ~ A1同兩個存儲體中的地址線A18 ~ A0相連接，CPU地址總線的最低位A0和BHE(低電平)用來選擇存儲體

　　4. 要訪問的16位字的低8位字節存放在偶存儲體中，稱為對準字，訪存只需要一個總線周期;要訪問的16位字的低8位字節存放在奇存儲體中，稱為未對準字，訪存需要兩個總線周期

　　5. 8088CPU數據總線是8位，若進行字操作，則需要兩個總線周期，第一個周期訪問低位，第二個周期訪問高位

　　存儲器的字位擴展，考試必考 (教科書 P71 習題2、習題6)

　　74LS138的綜合應用必須熟練掌握，考試必考： (教科書 P55 ~ P58; P71 ~ P72 習題7、習題8; P231 第五2題)

　　1. 存儲器芯片的地址范圍

　　2. 地址線的連接 (片內地址，片外地址)

　　3. 數據線的連接

　　4. 控制線的連接 (片選信號CE，寫信號WE，輸出信號OE等，以上信號都為低電平)