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　　突觸后電位及其產生機制

　　1.興奮性突觸后電位(EPSP)：

　　是指突觸后膜在某種神經遞質作用下產生的局部去極化電位變化。其產生機制是興奮性遞質作用于突觸后膜的相應受體，使遞質門控通道(化學門控通道)開放，后膜主要對Na+的通透性增大，發生凈內向電流，從而引起后膜的局部去極化。

　　2.抑制性突觸后電位(IPSP)：

　　是指突觸后膜在某種神經遞質作用下產生的局部超極化電位變化。其產生機制是抑制性遞質作用于突觸后膜，使后膜上的遞質門控氯通道開放，引起外向電流，結果引起后膜的局部超極化。此外，IPSP的形成還可能與突觸后膜鉀通道的開放或鈉通道和鈣通道的關閉有關。

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